半导体电子特气分类全解：按工艺用途梳理六大类气体
半导体制造过程中使用的特种气体（电子特气）种类繁多，通常按工艺用途分为以下几大类。厘清分类是后续选型、储存、检测与安全设计的起点。
一、掺杂气体（离子注入 / 扩散掺杂）
| 气体 | 用途 |
|---|---|
| 磷烷 PH₃ | N 型掺杂（磷化氢） |
| 砷烷 AsH₃ | N 型掺杂（砷化氢） |
| 乙硼烷 B₂H₆ | P 型掺杂 |
| 三氟化硼 BF₃ | 离子注入源 |
二、沉积气体（CVD / ALD 前驱体）
硅源：硅烷 SiH₄、二氯二氢硅（DCS）SiH₂Cl₂、四氯化硅 SiCl₄、乙硅烷 Si₂H₆
氮源 / 氧源：氨气 NH₃、笑气 N₂O（氧化硅）、氧气 O₂
金属前驱体：六氟化钨 WF₆（钨填充）、三甲基铝 TMA、三甲基镓 TMGa、二乙基锌 DEZn、三乙基镓 TEGa、四氯化钛 TiCl₄、五氟化钽、二茂锆等
其他：锗烷 GeH₄、四乙氧基硅烷 TEOS（液态，用于沉积 SiO₂）
三、刻蚀气体
含氟：CF₄、CHF₃、CH₂F₂、C₂F₆、C₃F₈、C₄F₈、C₄F₆、C₅F₈、SF₆、NF₃、ClF₃
含氯：Cl₂、BCl₃、HCl（CCl₄ 已少用）
含溴：HBr
其他：O₂ 等
四、清洗气体（腔室清洗）
NF₃（三氟化氮）为最主流方案，此外还有 F₂、ClF₃、SF₆ 等
五、载气 / 吹扫 / 大宗气体
N₂、Ar、He、H₂、O₂、CO₂，以及光刻用氖、氪、氙
这类气体虽属"大宗气"，但半导体级纯度要求极高，通常需 6N~7N
六、光刻 / 激光气体
氪气 Kr、氙气 Xe、氟气 F₂（用于 ArF / KrF 准分子激光）
各类稀有气体混合物
七、其他特殊气体
XeF₂（氙刻蚀）、四氟化锗、硒化氢 H₂Se、碲化氢 H₂Te（II-VI 族材料）
HMDS（六甲基二硅氮烷，用于光刻胶粘附）
关键提示
"特气"不等于气态储运：很多特气在常温下是液态，如 TEOS、TMA、WF₆，实际以液态储存、气化后供应（VMB / VDP 汽化器）。
危险性高度集中：PH₃、AsH₃、WF₆、Cl₂ 等剧毒、易燃或强腐蚀，这正是特气站安全要求远高于普通气体站的根本原因。
纯度与杂质控制：沉积与刻蚀气体对水分、氧、金属离子、颗粒极为敏感，直接决定良率。